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金貝爾分享:FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、開發(fā)和質(zhì)量控制

更新時(shí)間:2022-04-01      點(diǎn)擊次數(shù):2471

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碳化硅(SiC)已成為工業(yè)電子領(lǐng)域最重要的寬禁帶半導(dǎo)體之一,由于其高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢,特別是對于功率半導(dǎo)體器件,碳化硅優(yōu)于硅,更受青睞。

成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二極管和MOSFETs(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),這些器件已應(yīng)用于鐵路、工業(yè)逆變器、航空航天、可再生能源風(fēng)力渦輪機(jī)或光伏發(fā)電,以及電動(dòng)或混合動(dòng)力汽車等領(lǐng)域。企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)仍在致力于SiC相關(guān)的研究開發(fā)工作,如進(jìn)一步發(fā)展的“綠色”項(xiàng)目,用于太陽能汽車的移動(dòng)太陽能收集系統(tǒng)等。

 

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SiC與其他半導(dǎo)體材料的性能比較

在SiC材料的研究與開發(fā)中,傅立葉變換紅外光譜技術(shù)(FT-IR)是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜,對晶體結(jié)構(gòu)和質(zhì)量提供有價(jià)值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術(shù)(FT-PL)可以提供額外的信息,如能帶結(jié)構(gòu)和電荷載流子的細(xì)節(jié)。透射光譜技術(shù)可以研究半導(dǎo)體的帶隙、激子和其他電子特性。此外,碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。

 

布魯克(Bruker)公司的VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統(tǒng),可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍,擁有優(yōu)良的步進(jìn)掃描技術(shù)和出色的性能,可選真空光學(xué)臺,是上述許多應(yīng)用的分析系統(tǒng)。
布魯克公司幾十年以來一直支持半導(dǎo)體研發(fā),并將為可再生能源和其他與可持續(xù)發(fā)展有關(guān)的領(lǐng)域做進(jìn)一步貢獻(xiàn),使世界變得更美好。
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